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SI7852DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:7.6A
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- 描述
- 特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 新型低热阻。 低1.07mm外形的PowerPAK@封装。 PWM针对快速开关进行了优化。 100%进行Rg测试。应用：DC/DC应用的初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7852DP-T1-GE3
- 商品编号
- C467914
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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