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SIC780CD-T1-GE3

SiC780集成MOSFET功率级

描述: SiC780是一款集成的MOSFET功率级解决方案,专为同步降压应用设计,提供高电流、高效能和高功率密度。采用Vishay的6 mm x 6 mm MLP封装,支持高达50A的连续电流和93%的峰值效率。内部MOSFET利用先进的TrenchFET Gen III技术,显著降低开关和导通损耗。支持3.3V (SiC780ACD) 和5V (SiC780CD) PWM逻辑,具有低PWM传播延迟(< 20 ns)和热监测标志。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIC780CD-T1-GE3
商品编号: C467918
商品封装: MLP-40L-EP(6x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.163克(g)

商品参数

商品概述

SiC780是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度。SiC780采用Vishay专有的6 mm×6 mm MLP封装，使电压调节器设计能够以93%的峰值效率实现每相超过50 A的电流输出。内部功率MOSFET采用了Vishay先进的TrenchFET Gen III技术，通过显著降低开关损耗和传导损耗，实现了行业标杆性能。 SiC780集成了一款先进的MOSFET栅极驱动IC，具有大电流驱动能力、自适应死区时间控制和集成自举肖特基二极管，还具备热警告（THDN）功能，可在结温过高时向系统发出警报。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM、3.3 V（SiC780ACD）/5 V（SiC780CD）PWM逻辑和跳周期模式（SMOD），以提高轻载效率。

商品特性

热增强型PowerPAK MLP6x6-40L封装，符合RoHS标准
集成兼容肖特基二极管的行业标杆MOSFET，无卤
可提供超过50 A的连续电流
93%的峰值效率
高达1 MHz的高频运行
针对12V输入级优化的功率MOSFET
具备三态和闭锁功能的3.3 V（SiC780ACD）/5 V（SiC780CD）PWM逻辑
用于提高轻载效率的SMOD逻辑
低PWM传播延迟（<20 ns）
热监测标志
使能功能
VCIN欠压锁定
符合英特尔DrMOS 4.0规范

应用领域

同步降压转换器
用于CPU、GPU和内存的多相VRD
DC/DC负载点模块

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个

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	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	降压型
	工作电压	4.5V~18V
	输出电压	-
	输出电流	-
	开关频率	300kHz~1MHz
	工作温度	-40℃~+125℃

	属性	参数值
	同步整流	是
	输出通道数	-
	拓扑结构	降压式
	静态电流(Iq)	-
	开关管(内置/外置)	-
	输出类型	-