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SIR460DP-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIR460DP-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V 电流:24.3A

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描述
特性:无卤,符合ICC 61249-2-21标准。 100%进行Rg测试。 100%进行雪崩测试。 符合RoHS标准。应用:笔记本电脑Vcore。 DC/DC
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR460DP-T1-GE3
商品编号
C467942
商品封装
PowerPAK-SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)24.3A
导通电阻(RDS(on))4.7mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V
栅极电荷量(Qg)16.8nC@10V
输入电容(Ciss)2.071nF@15V
反向传输电容(Crss)168pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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