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SQ2361AEES-T1_GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:2.8A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。典型ESD保护：800 V。AEC-Q101合格。100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2361AEES-T1_GE3
- 商品编号
- C467984
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 沟槽场效应功率MOSFET
- 典型静电放电保护:800 V
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
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