SQD50N10-8M9L_GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
- SMT扩展库
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SQD50N10-8M9L_GE3商品编号
C467987商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.442克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.9mΩ@10V,15A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 136W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.95nF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
2000+¥8.346¥16692
优惠活动
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订货3-5个工作日购买数量(2000个/圆盘,最小起订量 2000 个 )
个
起订量:2000 个2000个/圆盘
近期成交1单
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