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SQD50N04-4M5L_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻封装。 AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD50N04-4M5L_GE3
- 商品编号
- C467985
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.86nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 低热阻封装
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤