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SIR680DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
- 描述
- 特性：RoHS合规，无卤素。 TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR680DP-T1-RE3
- 商品编号
- C467946
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.5nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.15nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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