温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR680DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
- 描述
- 特性：RoHS合规，无卤素。 TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR680DP-T1-RE3
- 商品编号
- C467946
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.5nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS - Qoss品质因数进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 或门功能
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池和负载开关
相似推荐
其他推荐
- SIR688DP-T1-GE3
- SIR770DP-T1-GE3
- SIR826ADP-T1-GE3
- SIR846ADP-T1-GE3
- SIR870DP-T1-GE3
- SIR872ADP-T1-GE3
- SIRA52DP-T1-GE3
- SIRA60DP-T1-GE3
- SISA12ADN-T1-GE3
- SISS40DN-T1-GE3
- SIZF906DT-T1-GE3
- SIZF914DT-T1-GE3
- SQ2361AEES-T1_GE3
- SQD50N04-4M5L_GE3
- SQD50N04-5M6_GE3
- SQD50N10-8M9L_GE3
- SQJ940EP-T1_GE3
- SQJA82EP-T1_GE3
- SUD25N15-52-E3
- SUD50N06-09L-E3
- SUD50P10-43L-GE3