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SIRA52DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA52DP-T1-GE3
- 商品编号
- C467953
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管（TrenchFET Gen IV）功率MOSFET
- 针对最低的RDS - Qoss品质因数（FOM）进行调优
- 100%进行Rq和UIS测试
- Qgd / Qgs比值 < 1，优化开关特性
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC转换器
- DC/AC逆变器
- 电池和负载开关
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