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SIZF906DT-T1-GE3

2个N沟道 耐压:30V 电流:60A

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描述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 SkyFET低端MOSFET，集成肖特基二极管。 100%进行Rg和UIS测试。应用：CPU核心电源。 计算机/服务器外设
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIZF906DT-T1-GE3
商品编号
C467957
商品封装
DFN-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))1.17mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)53W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.1V
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
输入电容(Ciss)8.2nF@15V
反向传输电容(Crss)260pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

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