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SIZF914DT-T1-GE3
SIZF914DT-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZF914DT-T1-GE3
- 商品编号
- C467958
- 商品封装
- PowerPAIR(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 集成肖特基二极管的SkyFET低端MOSFET
- 用于增强高端驱动的G1返回S1引脚
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- CPU核心电源-计算机/服务器外设负载点电源(POL)-同步降压转换器-电信DC/DC电源
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