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SISS40DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:36.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS40DN-T1-GE3
- 商品编号
- C467956
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,36.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 845pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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