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SIR626DP-T1-RE3

1个N沟道耐压:60V 电流:100A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIR626DP-T1-RE3
商品编号: C467944
商品封装: PowerPAK-SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.15克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET II MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，与SUPERFET II MOSFET系列相比，SUPERFET II MOSFET易驱动系列的上升和下降时间稍慢。该系列型号后缀为“E”，有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计更容易实现。对于要求开关损耗极低的快速开关应用，请考虑选用SUPERFET II MOSFET系列。

商品特性

沟槽式场效应晶体管第四代功率MOSFET
极低的 RDS - Qg 品质因数 (FOM)
针对最低 RDS - Qoss 品质因数进行调优
100 % 进行 Rg 和非箝位感性开关 (UIS) 测试

应用领域

-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-太阳能微型逆变器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	42.8A
	导通电阻(RDS(on))	1.7mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	6.25W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.4V
	栅极电荷量(Qg)	52nC@10V
	输入电容(Ciss)	5.13nF
	反向传输电容(Crss)	94pF
	工作温度	-55℃~+150℃