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SIR638DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR638DP-T1-GE3
- 商品编号
- C467945
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比 < 1,优化开关特性
应用领域
- 同步整流
- 或门二极管
- 高功率密度DC/DC
- 电压调节模块和嵌入式DC/DC
- DC/AC逆变器
- 负载开关
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