温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHA21N60EF-E3
1个N沟道 耐压:600V 电流:14A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：采用E系列技术的快速体二极管MOSFET。降低trr、Qrr和IRRM。低品质因数（FOM）：Ron × QG。低输入电容（Ciss）。由于低Qrr，增强了鲁棒性。超低栅极电荷（Qg）。应用：电信。服务器和电信电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHA21N60EF-E3
- 商品编号
- C467920
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 176mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低trr、Qrr和IRRM
- 优值（FOM）低：Ron × Qg
- 输入电容（Ciss）低
- 低Qrr提高了器件的鲁棒性
- 超低位栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 电信领域-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-发光二极管(LED)-消费和计算机领域-ATX电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-采用以下拓扑结构的应用-LLC-移相全桥(ZVS)-三电平逆变器-交直流桥
相似推荐
其他推荐
- SIHA22N60AE-E3
- SIHB16N50C-E3
- SIHB22N60E-GE3
- SIHB33N60EF-GE3
- SIHB33N60ET1-GE3
- SIHD180N60E-GE3
- SIHF12N50C-E3
- SIHG17N80E-GE3
- SIHG33N60EF-GE3
- SIHG33N60E-GE3
- SIHG47N60EF-GE3
- SIHH27N60EF-T1-GE3
- SIHP11N80E-GE3
- SIHP12N60E-GE3
- SIHP17N80E-GE3
- SIHP22N60E-GE3
- SIHP33N60E-GE3
- SIR460DP-T1-GE3
- SIR182DP-T1-RE3
- SIR626DP-T1-RE3
- SIR638DP-T1-GE3