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SIHA21N60EF-E3
1个N沟道 耐压:600V 电流:14A
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- 描述
- 特性：采用E系列技术的快速体二极管MOSFET。降低trr、Qrr和IRRM。低品质因数（FOM）：Ron × QG。低输入电容（Ciss）。由于低Qrr，增强了鲁棒性。超低栅极电荷（Qg）。应用：电信。服务器和电信电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHA21N60EF-E3
- 商品编号
- C467920
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 176mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个1000个/管
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