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SIHG33N60EF-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:33A
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- 描述
- 特性：采用E系列技术的快速体二极管MOSFET。 降低trr、Qrr和IRRM。 低品质因数 (FOM)：Ron × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。应用：电信。 服务器和电信电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG33N60EF-GE3
- 商品编号
- C467932
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.454nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低反向恢复时间 trr、反向恢复电荷 Qrr 和反向恢复峰值电流 IRRM
- 低品质因数 (FOM):导通电阻 Ron 与栅极电荷 Qg 的乘积
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯 (HID)-发光二极管 (LED)-消费电子和计算设备-ATX电源-工业领域-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源 (SMPS)-LLC谐振变换器-移相全桥 (ZVS)-三电平逆变器-交直流桥
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