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SIHG33N60EF-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:33A
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- 描述
- 特性：采用E系列技术的快速体二极管MOSFET。 降低trr、Qrr和IRRM。 低品质因数 (FOM)：Ron × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。应用：电信。 服务器和电信电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG33N60EF-GE3
- 商品编号
- C467932
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@10V,16.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 278W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.454nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(25个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个25个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单
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