SIHP11N80E-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:12A
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SIHP11N80E-GE3商品编号
C467936商品封装
TO-220AB-3包装方式
编带
商品毛重
2.9克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 380mΩ@10V,5.5A | |
功率(Pd) | 179W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 88nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.67nF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 9pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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