SIC789CD-T1-GE3

SiC789 和 SiC789A 是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC789 和 SiC789A 采用威世（Vishay）专有的 6mm×6mm LP 封装，使电压调节器设计能够每相提供高达 60 A 的连续电流。 内部功率 MOSFET 采用了威世最先进的第四代 TrenchFET 技术，该技术具有行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗。 SiC789 和 SiC789A 集成了先进的 MOSFET 栅极驱动 IC，具有大电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管、可在结温过高时向系统发出警报的热警告（THWn）功能，以及可提高轻载效率的跳周期模式（SMOD#）。该驱动器还与多种 PWM 控制器兼容，支持三态 PWM、3.3 V（SiC789A）/ 5 V（SiC789）PWM 逻辑。

• 热增强型 PowerPAK MLP66 - 40L 封装，符合 RoHS 标准
• 采用威世第四代 MOSFET 技术，低侧 MOSFET 集成肖特基二极管，无卤素
• 可提供高达 60 A 的连续电流
• 峰值效率达 95%
• 最高可实现 1.5 MHz 的高频运行
• 功率 MOSFET 针对 12V 输入级进行了优化
• 具备三态和关断功能的 3.3 V（SiC789A）/ 5 V（SiC789）PWM 逻辑
• 用于提高轻载效率的 SMOD# 逻辑
• 低 PWM 传播延迟（<20 ns）
• 热监测标志
• 更快的使能/禁用功能
• VCIN 欠压锁定功能

• 用于 CPU、GPU 和内存的多相 VRD