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SI8489EDB-T2-E1实物图
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SI8489EDB-T2-E1

1个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A

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描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 小尺寸，最大外形面积1mm x 1mm。 低轮廓，最大高度0.548mm。 典型ESD保护2500V HBM。 材料分类：如需了解合规定义，请参考相关文档。应用：负载开关和充电器开关。 电池管理
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI8489EDB-T2-E1
商品编号
C467916
商品封装
UFBGA-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.011克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on))44mΩ@10V,1.5A
耗散功率(Pd)780mW
阈值电压(Vgs(th))500mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.5nC@10V
输入电容(Ciss)765pF@10V
反向传输电容(Crss)115pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)125pF

数据手册PDF

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