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SIC620ACD-T1-GE3

60 A VRPower集成电源级

描述: SiC620 和 SiC620A 是针对同步降压应用优化的集成电源级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装，SiC620 和 SiC620A 使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay最先进的第四代沟槽技术，该技术提供了行业基准性能，显著降低了开关损耗和导通损耗。SiC620 和 SiC620A 集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的自举肖特基二极管、热警告（THWn）以警示系统过高的结温以及零电流检测以提高轻负载效率。这些驱动器还兼容广泛的PWM控制器，并支持三态PWM、3.3 V（SiC620A）/ 5 V（SiC620）PWM逻辑。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIC620ACD-T1-GE3
商品编号: C467917
商品封装: MLP55-31L(5x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.109克(g)

商品参数

商品概述

SiC620 和 SiC620A 是针对同步降压应用优化的集成电源级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装，SiC620 和 SiC620A 使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay最先进的第四代沟槽技术，该技术提供了行业基准性能，显著降低了开关损耗和导通损耗。

SiC620 和 SiC620A 集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的自举肖特基二极管、热警告（THWn）以警示系统过高的结温以及零电流检测以提高轻负载效率。这些驱动器还兼容广泛的PWM控制器，并支持三态PWM、3.3 V（SiC620A）/ 5 V（SiC620）PWM逻辑。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	工作电压	4.5V~18V

	属性	参数值
	特性	过热保护
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.2V~2.7V
	输入低电平(VIL)	720mV~1.1V
	静态电流(Iq)	300uA