温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI7922DN-T1-E3

2个N沟道耐压:100V 电流:1.8A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7922DN-T1-E3
商品编号: C467915
商品封装: PDFN-8(3.3x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.06克(g)

商品参数

商品概述

采用PowerPAK 1212-8封装的双N沟道100 V（D-S）MOSFET。PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的衍生产品，采用相同的封装技术以最大化芯片面积。芯片附着焊盘底部外露，可提供直接的低电阻散热路径。其占位面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多。与SO-8和TSSOP-8相比，它具有更好的散热性能，可利用PCB板的散热能力，与TSSOP-8相比，芯片效率提高约20%。1.05 mm的低外形高度使其适用于空间受限的应用。

商品特性

提供无卤选项
TrenchFET功率MOSFET
新型低热阻PowerPAK封装,占用空间仅为SO-8的1/3,散热性能相当
针对PWM优化

应用领域

DC/DC原边开关
48 V电池监控

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	2.5A
	导通电阻(RDS(on))	195mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	2.6W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	8nC@10V
	输入电容(Ciss)	320pF
	反向传输电容(Crss)	120pF
	工作温度	-55℃~+150℃