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SI7846DP-T1-E3
1个N沟道 耐压:150V 电流:4A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型低热阻 PowerPAK 封装，高度仅 1.07mm。 PWM 优化，实现快速开关。 100% 进行 Rg 测试。应用：高密度 DC/DC 初级侧开关。 电信/服务器 48V DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7846DP-T1-E3
- 商品编号
- C467912
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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