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SI7852ADP-T1-E3
1个N沟道 耐压:80V 电流:30A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7852ADP-T1-E3
- 商品编号
- C467913
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.825nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 100% 栅极电阻（Rg）测试
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 初级侧开关
- N 沟道 MOSFET
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