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SI7431DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:200V 电流:2.2A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7431DP-T1-GE3
- 商品编号
- C467909
- 商品封装
- PDFN-8(5.9x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 174mΩ@10V,3.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 135pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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