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SI7431DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:200V 电流:2.2A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7431DP-T1-GE3
- 商品编号
- C467909
- 商品封装
- PDFN-8(5.9x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 174mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 超低导通电阻,满足应用关键需求
- 低热阻 PowerPAK 封装,高度仅 1.07 mm
- 100% 进行 Rq 和雪崩测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 中间 DC/DC 电源中的有源钳位
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