SI7114DN-T1-E3

1个N沟道耐压:30V 电流:11.7A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7114DN-T1-E3
商品编号: C467907
商品封装: PowerPAK1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.066克(g)

商品参数

商品概述

N沟道30 V（D - S）快速开关MOSFET，采用PowerPAK 1212 - 8封装。PowerPAK 1212 - 8是PowerPAK SO - 8的衍生产品，采用相同封装技术，可最大化芯片面积。芯片附着垫底部暴露，为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO - 8的优势转化到更小的封装中，具有相同的热性能水平。其占地面积与TSOP - 6相当，比标准TSSOP - 8小40%以上，芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多，热性能比SO - 8好一个数量级，比TSSOP - 8好20倍，能利用任何PC板散热器能力，与TSSOP - 8相比，降低结温还能使芯片效率提高约20%。单双PowerPAK 1212 - 8与单双PowerPAK SO - 8采用相同引脚排列，低1.05 mm的PowerPAK高度轮廓使其成为空间受限应用的绝佳选择。

商品特性

提供无卤选项
第二代沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
新型低热阻PowerPAK封装,高度仅1.07 mm
100%进行栅极电阻(Rg)测试

应用领域

-同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	11.7A
	导通电阻(RDS(on))	7.5mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	1.5W
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	19nC@4.5V
	工作温度	-55℃~+150℃