温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI1553CDL-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1553CDL-T1-GE3
- 商品编号
- C467894
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA；500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.48Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 950pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道和P沟道20 V（漏-源）MOSFET。SOT-363 SC-70双封装（6引脚）。这些新器件适用于需要小型化封装且需切换低电流（约250 mA）的小信号应用，可直接切换或采用电平转换配置。新型6引脚SC-70封装可改善导通电阻值并增强热性能。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻测试
应用领域
- 负载开关
- DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐
- SI1900DL-T1-E3
- SI2328DS-T1-GE3
- SI2371EDS-T1-GE3
- SI3458BDV-T1-GE3
- SI3552DV-T1-E3
- SI4168DY-T1-GE3
- SI4490DY-T1-E3
- SI5471DC-T1-GE3
- SI6423DQ-T1-E3
- SI6968BEDQ-T1-E3
- SI7108DN-T1-GE3
- SI7114DN-T1-E3
- SI7315DN-T1-GE3
- SI7431DP-T1-GE3
- SI7469DP-T1-GE3
- SI7846DP-T1-E3
- SI7852ADP-T1-E3
- SI7852DP-T1-GE3
- SI7922DN-T1-E3
- SI8489EDB-T2-E1
- SIHA21N60EF-E3