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SI3458BDV-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:3.2A
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：便携式负载开关。 LED背光开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3458BDV-T1-GE3
- 商品编号
- C467898
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单
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