温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI3552DV-T1-E3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:2.5A 1.8A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3552DV-T1-E3
- 商品编号
- C467899
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A；1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V；200mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V；2.1nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单
相似推荐
其他推荐
- SI4168DY-T1-GE3
- SI4490DY-T1-E3
- SI5471DC-T1-GE3
- SI6423DQ-T1-E3
- SI6968BEDQ-T1-E3
- SI7108DN-T1-GE3
- SI7114DN-T1-E3
- SI7315DN-T1-GE3
- SI7431DP-T1-GE3
- SI7469DP-T1-GE3
- SI7846DP-T1-E3
- SI7852ADP-T1-E3
- SI7852DP-T1-GE3
- SI7922DN-T1-E3
- SI8489EDB-T2-E1
- SIHA21N60EF-E3
- SIHA22N60AE-E3
- SIHB16N50C-E3
- SIHB22N60E-GE3
- SIHB33N60EF-GE3
- SIHB33N60ET1-GE3