SI2371EDS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 内置ESD保护。 典型ESD性能3000 V。应用:便携式和消费类产品的电源管理。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2371EDS-T1-GE3
- 商品编号
- C467897
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,4.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交33单
相似推荐
其他推荐
- SI3458BDV-T1-GE3
- SI3552DV-T1-E3
- SI4168DY-T1-GE3
- SI4490DY-T1-E3
- SI5471DC-T1-GE3
- SI6423DQ-T1-E3
- SI6968BEDQ-T1-E3
- SI7108DN-T1-GE3
- SI7114DN-T1-E3
- SI7315DN-T1-GE3
- SI7431DP-T1-GE3
- SI7469DP-T1-GE3
- SI7846DP-T1-E3
- SI7852ADP-T1-E3
- SI7852DP-T1-GE3
- SI7922DN-T1-E3
- SI8489EDB-T2-E1
- SIHA21N60EF-E3
- SIHA22N60AE-E3
- SIHB16N50C-E3
- SIHB22N60E-GE3

