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SI2328DS-T1-GE3实物图
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SI2328DS-T1-GE3

1个N沟道 耐压:100V 电流:1.15A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤。 100% Rg 和 UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC 的 TrenchFET 功率 MOSFET
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI2328DS-T1-GE3
商品编号
C467896
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.02克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on))250mΩ@10V,1.5A
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)5nC@10V
输入电容(Ciss)250pF@10V
反向传输电容(Crss)150pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

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