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SI1900DL-T1-E3
2个N沟道 耐压:30V 电流:0.63A
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- 描述
- 这些新器件适用于需要小型化封装且需切换低电流（约250 mA）的小信号应用，可直接切换，也可采用电平转换配置。全新的6引脚SC 70封装可改善导通电阻值并提升热性能。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1900DL-T1-E3
- 商品编号
- C467895
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V,0.59A | |
| 耗散功率(Pd) | 160mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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