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SI1021R-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1021R-T1-GE3

1个P沟道 耐压:60V 电流:135mA

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 高端开关。 低导通电阻：4 Ω。 低阈值：-2 V（典型值）。 快速开关速度：20 ns（典型值）。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。 电池供电系统
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1021R-T1-GE3
商品编号
C467892
商品封装
SC-75A​
包装方式
编带
商品毛重
0.013克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)135mA
导通电阻(RDS(on))4Ω@10V,500mA
耗散功率(Pd)130mW
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1.7nC@15V
输入电容(Ciss)23pF@25V
反向传输电容(Crss)5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)10pF

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