我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
FDD8647L实物图
  • FDD8647L商品缩略图
  • FDD8647L商品缩略图
  • FDD8647L商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD8647L

1个N沟道 耐压:40V 电流:42A

描述
此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的,可提供低 rDS(on) 和优化的 BVDSS 能力,为应用带来卓越性能优势。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD8647L
商品编号
C467451
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)42A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V,13A
耗散功率(Pd)43W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
输入电容(Ciss)1.64nF@20V
反向传输电容(Crss)80pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

交货周期

订货7-9个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

近期成交8