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FDD8647L
1个N沟道 耐压:40V 电流:42A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的，可提供低 rDS(on) 和优化的 BVDSS 能力，为应用带来卓越性能优势。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8647L
- 商品编号
- C467451
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET II MOSFET是基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该先进MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 2.75 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 1.05 Ω（典型值）
- 低栅极电荷（典型值13 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值7 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 照明
- 不间断电源