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FQB8N60CTM
1个N沟道 耐压:600V 电流:7.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB8N60CTM
- 商品编号
- C467457
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.662克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.255nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 7.5 A、600 V,VGS = 10 V、ID = 3.75 A 时,RDS(on) = 1.2 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值 28 nC)
- 低 Crss(典型值 12 pF)
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准