温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SVF4N60CAD
4A、600V N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的F- Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC - DC电源、DC - DC转换器和H桥PWM电机驱动器
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVF4N60CAD
- 商品编号
- C467746
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 433pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用Silicon专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 4A，600V，RDS(导通)(典型值) = 2.0 Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- AC-DC电源
- DC-DC转换器
- H桥PWM电机驱动器