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FDS6679
1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6679
- 商品编号
- C467782
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.939nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 498pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（R_on）×栅极电荷（Q_g）
- 低输入电容（输入电容 C_iss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（栅极电荷 Q_g）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域