我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
FDS6679实物图
  • FDS6679商品缩略图
  • FDS6679商品缩略图
  • FDS6679商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDS6679

1个P沟道 耐压:30V 电流:13A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDS6679
商品编号
C467782
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)100nC@15V
输入电容(Ciss)3.939nF
反向传输电容(Crss)498pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款P沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器以及电池充电器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比,这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是,该MOSFET易于驱动且驱动更安全(即使在非常高的频率下),并且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

商品特性

    • 13;A, - 30;V,RDS\left( ON\right) = 9;mΩ(@VGS = - 10;V)
  • R D S (O N) = 1 3 m Ω(@ V G S = - 4. 5 V)
  • 适用于电池应用的扩展 VGSS 范围(\pm 25V)
  • 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
  • 具备高功率和大电流处理能力

应用领域

-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域

数据手册PDF