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FDB8441
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A 电流:28A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8441
- 商品编号
- C467461
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 215nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 685pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
FDS6699S旨在取代同步DC:DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET专为最大化功率转换效率而设计，提供低导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。FDS6699S采用仙童半导体的单片SyncFET技术，集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- 21 A、30 V，最大RDS(ON) = 3.6 mΩ，栅源电压VGS = 10 V时
- 最大RDS(ON) = 4.5 mΩ，栅源电压VGS = 4.5 V时
- 包含SyncFET肖特基体二极管
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)和快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 100%进行栅极电阻RG测试
应用领域
- 用于DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore低端开关
- 负载点低端开关