温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS8638
1个N沟道 耐压:40V 电流:18A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8638
- 商品编号
- C467462
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.68nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 18 A条件下，最大rDS(on) = 4.3 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 16 A条件下，最大rDS(on) = 5.4 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的rDS(on)
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流器-负载开关