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FDMS86520L
1个N沟道 耐压:60V 电流:22A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86520L
- 商品编号
- C464162
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.615nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率并最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃而设计。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 13.5 A时，最大rDS(on) = 8.2 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 11.5 A时，最大rDS(on) = 11.7 mΩ
- 采用先进的封装和硅片组合，实现低rDS(on)和高效率
- MSL1高可靠性封装设计
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC-DC的初级开关-同步整流器-负载开关