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NTLJF4156NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
- 描述
- 功率 MOSFET 和肖特基二极管 30 V，4.6 A，?Cool N 沟道，带 2.0 A 肖特基势垒二极管，2x2 mm WDFN 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJF4156NT1G
- 商品编号
- C464255
- 商品封装
- WDFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@1.5V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 427pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- WDFN封装提供外露漏极焊盘，实现出色的热传导
- 共封装MOSFET和肖特基二极管，便于电路布局
- 在低VGS（导通）电平（VGS = 1.5 V）下规定RDS（导通）
- 薄型（< 0.8 mm），易于适配薄型环境
- 低VF肖特基二极管
- 这是一款无铅器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 手机、个人数字助理（PDA）、媒体播放器中的锂离子电池应用
- 彩色显示屏和相机闪光灯稳压器