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FDD6670A
1个N沟道 耐压:30V 电流:66A 电流:15A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，在小型封装中实现了低门极电荷、快速开关和极低 RDS(ON)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6670A
- 商品编号
- C467445
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A；66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.2W；63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.755nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 栅源电压为10 V、漏极电流为30 A时，最大漏源导通电阻为1.8 mΩ
- 栅源电压为4.5 V、漏极电流为26 A时，最大漏源导通电阻为2.4 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低漏源导通电阻和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具备软恢复特性
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 台式机和服务器的VRM Vcore开关
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换
- 电机桥接开关