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FDD8445
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
- 描述
- N 沟道 Power Trench MOSFET 40V，50A，8.7mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8445
- 商品编号
- C467449
- 商品封装
- TO-252AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- RDS(ON) = 6.7 mΩ(典型值),VGS = 10 V,ID = 50 A
- Qg(10) = 45 nC(典型值),VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 具备单脉冲/重复脉冲非钳位感性开关能力
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 动力系统管理
- 电子变速器
- 分布式电源架构和电压调节模块
- 12V 系统的主开关