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FDD6635
1个N沟道 耐压:35V 电流:59A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6635
- 商品编号
- C467444
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 35V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用专有PowerTrench技术制造，可实现低导通电阻（Rdson）和优化的击穿电压（Bvdss）能力，在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 59 A、35 V；在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 10 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 13 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源