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FDD3706
1个N沟道 耐压:20V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)、快速开关速度和小封装下极低的RDS(ON)进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD3706
- 商品编号
- C467442
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.882nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件专为蜂窝手机及其他超便携式应用中的电池充电或负载切换而设计。它采用了一款具有低导通电阻的MOSFET。 MicroFET 1.6x1.6 Thin封装在其物理尺寸下提供了出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
商品特性
- 50 A, 20 V \quad RDS(ON) = 9 m Ω @ VGS = 10 V
- R D S (ON) = 11 m Ω @ V G S = 4.5 V
- R D S (ON) = 16 m Ω @ V G S = 2.5 V
- 低栅极电荷(16 nC)
- 快速开关
- 高性能沟槽技术实现极低的RDS(ON)
应用领域
-DC/DC转换器-电机驱动器