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FDD3706
1个N沟道 耐压:20V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)、快速开关速度和小封装下极低的RDS(ON)进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD3706
- 商品编号
- C467442
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,16.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.882nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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