FQA65N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:65A
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- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FQA65N20商品编号
C464176商品封装
TO-3P包装方式
管装
商品毛重
7.45克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
连续漏极电流(Id) | 65A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@10V,32.5A | |
功率(Pd) | 310W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 200nC@160V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 7.9nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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