温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQA65N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:65A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA65N20
- 商品编号
- C464176
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,32.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@160V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 65 A、200 V，VGS = 10 V、ID = 32.5 A时，RDS（on） = 32 mΩ（最大值）
- 低栅极电荷（典型值170 nC）
- 低Crss（典型值90 pF）
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器