温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@10V,5.75A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- -11.5 A，-200 V，RDS(导通) = 470 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V，ID = -5.75 A
- 低栅极电荷（典型值31 nC）
- 低Crss（典型值30 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用