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FDPF51N25
1个N沟道 耐压:250V 电流:51A
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- 描述
- UniFET MOSFET 基于平面条纹和 DMOS 技术。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关功率转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示器 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF51N25
- 商品编号
- C464165
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,25.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.41nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 25.5 A条件下，RDS(导通) = 48 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值55 nC）
- 低Crss（典型值63 pF）
应用领域
- 等离子电视-照明-不间断电源-交流-直流电源