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FDMS8018
1个N沟道 耐压:30V 电流:175A
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- 描述
- 此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它已针对低栅极电荷、低r
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8018
- 商品编号
- C464161
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 175A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V,30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.235nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司专有的PowerTrench®技术制造，可实现低漏源导通电阻（rDS(on)）和优化的击穿电压（BV_DSS）能力，在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 栅源电压（VGS）= 10 V、漏极电流（ID）= 13 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 9 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V、漏极电流（ID）= 11 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 13 mΩ
- 快速开关
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源