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FDMS7602S
2个N沟道 耐压:30V 电流:30A
- 描述
- 此器件包含两个专用 N 沟道 MOSFET，采用双 MLP 封装。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7602S
- 商品编号
- C464160
- 商品封装
- Power56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双MLP封装中包含两个专用N沟道MOSFET。开关节点已进行内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™（Q2）经过设计，可实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A时，最大rDS（on） = 7.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 10 A时，最大rDS（on） = 12 mΩ
- Q2：N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 17 A时，最大rDS（on） = 5.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 14 A时，最大rDS（on） = 6.8 mΩ
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点
- 笔记本电脑VCORE