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RFD14N05SM9A
1个N沟道 耐压:50V 电流:14A
- 描述
- 此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此类晶体管可直接在集成电路中运行。之前的开发型号为 TA09770。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- RFD14N05SM9A
- 商品编号
- C464113
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI）的尺寸，能充分利用硅材料，从而实现出色的性能。它们适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 14A、50V
- rDS(ON) = 0.100 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感应开关（UIS）额定曲线
- 工作温度达175°C
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器