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FDME1034CZT
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3.8A
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- 描述
- 此器件专门设计为手机和其他移动应用中 DC/DC 开关 MOSFET 的单封装解决方案。它具有一个独立的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，且具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。每个 MOSFET 的门极电荷也得以最大程度降低，可实现直接在控制设备中进行高频控制。MicroFET 1.6x1.6 薄封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDME1034CZT
- 商品编号
- C464157
- 商品封装
- MicroFET-6(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027091克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 142mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF；405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF；40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为蜂窝手机及其他超便携式应用中的DC/DC“开关”MOSFET设计，采用单封装解决方案。它具有独立的N沟道和P沟道MOSFET，导通电阻低，可将传导损耗降至最低。每个MOSFET的栅极电荷也被最小化，允许直接从控制设备进行高频开关。 MicroFET 1.6x1.6 Thin封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 4.5 V、ID = 3.4 A时,最大rDS(on) = 66 mΩ
- VGS = 2.5 V、ID = 2.9 A时,最大rDS(on) = 86 mΩ
- VGS = 1.8 V、ID = 2.5 A时,最大rDS(on) = 113 mΩ
- VGS = 1.5 V、ID = 2.1 A时,最大rDS(on) = 160 mΩ
- Q2:P沟道
- VGS = -4.5 V、ID = -2.3 A时,最大rDS(on) = 142 mΩ
- VGS = -2.5 V、ID = -1.8 A时,最大rDS(on) = 213 mΩ
- VGS = -1.8 V、ID = -1.5 A时,最大rDS(on) = 331 mΩ
- VGS = -1.5 V、ID = -1.2 A时,最大rDS(on) = 530 mΩ
- 低外形:新型MicroFET 1.6x1.6 Thin封装最大高度为0.55 mm
- 不含卤化物和氧化锑
- 人体模型(HBM)静电放电保护等级 >1600 V
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换-电平转换负载开关